Bugungi kunda zamonaviy inson mobil bolishini yoqtiradi va, hayotini engillashtirish, qiziqarli o‘tkazish uchun turli xil yuqori texnologiyali qurilmalarni, ya’ni gatjetlarni (inglis tilidan olingan) o‘z yonida olb yurishga harakat qiladi. Va shunday qurilmalar oxirgi 10-15 yilda paydo bo‘ldi. Kichik, yengil, qulay, raqamli… Bunday qurilmalarni maydonga kelishiga yangi mikroprotsessorli texnologiyalar va aynan, ma’lumotlarni saqlash texnologiyalari sabab bo‘ldi. Shunday qilib, Flesh – xotira.
Ayrim fikrlarga ko‘ra, xotira turlariga nisbatan, FLESH nomi “chaqnash” manosini bildiradi. Ammo bunday emas. 1989-1990 yillarda Toshiba kompaniyasi o‘zini yangi mikrosxemalari ta’rifida “tez, tezkor”, ya’ni Flesh so‘zini ishlatgan. Umuman olganda, Flesh-xotirani ixtirochisi deb, NOR arxitekturali Flesh-xotirani 1988 yilda namoish etgan, Intel kompaniyasi hisoblanadi. Bir yildan so‘ng Toshiba Flesh mikrosxemalarida, bugungi kungacha NOR bilan birgalikda ishlatiladigan NAND arxitekturasini ishlab chiqdi. Shuni aytish kerakki, bu ikki xotira turning ishlab chiqarilishi texnologiyalari bir xil dir. Bu bobda ularni tuzilishi, ishlash ta’moillari va amaliy jihatdan ishlatishning turli variantlarini ko‘rib chiqamiz.
Flesh oilasining birinchi nomoyondalaridan biri xotira ekan, undan boshlaymiz.
Unga nom bergan (NOR – NotOR- bulli matematikada “yoki” inkorni bildiradi ), mantiqiy element sxemasi 1- rasmda namoish etilgan.
rasm 1.
Uning yordamida kirish kuchlanishi chiqish kuchlanishiga aylanadi, “0” va “1” muvofiq. Xotira yacheykalarida turli hil kuchlanishning ishlatilishi sababli ma’lumotlarni o‘qish/yozish uchun ular zarurdir. Katakchaning sxemasi 2- rasmda keltirilgan.
rasm 2.
U ko‘pincha Flesh-chiplar uchun xarakterlidir. U boshqaruvchi (control) va suzuvchi (floating) ikta izolyatsiya qilingan zatvorkalardan iborat tranzistordir. Uning mahim xususiyatlaridan biri elektronni, ya’ni zaryadni ushlab qolishidir. Shu bilan birga katakchada “chiqish joyi” va “kirish joyi” ham mavjud. Ular orasidagi dasturlashtirish jarayonida, boshqaruv zatvorida musbiy maydon ta’siri natijasida elektronlar oqimi kanali paydo bo‘ladi. Katta energiya tufayli ayrim elektronlar izolyator qatlamidan o‘tib suzuvchi zatvorga tushadilar. Unda ular bir necha yil saqlanishi mumkin. Suzuvchi zatvordagi ma’lum diapazondagi electron (zaryad)larning soni mantiqiy birlikga muvofiq bo‘ladi, undan ko‘pi esa — nolga. Tranzistorning boshlanish kuchlanishini o‘lchash yo‘li bilan bu holat o‘qish paytida aniqlaniladi. Ma’lumotni o‘chirish uchun boshqaruv zatvoriga yuqori musbat kuchlanishi beriladi va elektronlar suzuvchi zatvordan “chiqish joyiga” o‘tadilar. Har xil ishlab chiqaruvchilar texnologiyasida bunday printsip katakchalaridan ma’lumotlarni o‘qish va tok uzatish usuli bilan farqlanadi. Shunga ham ahamiyat berish kerak-ki, Flesh-xotira strukturasida 1 bit axborotni saqlash uchun birgina element (tranzistor) ishlaydi, vaholanki xotiraning energiyaga bog‘liq turlari uchun esa bir nechta tranzistorlar va kondeksator kerak. Bu esa, ishlab chiqariladigan mikrosxemalarning hajmini kamaytiradi, texnologik jarayonni soddalashtiradi, natijada, tannarxni ham tushuradi. Bugungi kunda Intel Strata Flesh xotirasini ishlab chiqarmoqda. Uning har bir katakchasi 2 bit axborotni saqlaydi. Shu bilan birga sinash uchun belgilangan 4 va 9 bitli katakchalar mavjud! Bunday xotirada ko‘p sathli katakchalar texnologiyasi ishlatiladi. U oddiy strukturaga ega bo‘lib, farqli jihati shundaki, zaryad bir necha sathlarga bo‘linadi, va har bir sathda bitlarning ma’lum bir kombinatsiyasi qoyiladi. Nazariy jihatdan 4 bittan ortiq ma’lumotni o‘qish/yozish mumkin, ammo, uzoq vaqt saqlashda elektronlarning kamaishi va shovqinni yo‘q qilish bilan bog‘lik muammolar amalda paydo bo‘ladi. Umuman olganda bugungi kunda xotira mikrosxemalarida katakchalar uchun axborotni saqlash vaqti mavjud. Ular yillar o‘qish/yozish davrlarining soni bilan (100 mingdan bir necha milliongacha) o‘lchalaniladi. NOR arxitekturali Flesh – xotiraning kamchiliklaridan biri mashtablanishidir: tranzistor hajmini kamaytirish bilan chiplarning maydonini kamaytirib bo‘lmaydi. Bu vaziyat yachekali matritsalarning tashkil usuli bilan bog‘liq: NDR arhitekturasida har bir tranzistorga shahsiy kontakt olib kelishi kerak. NAND arxitekturali Flesh xotirada bu plandagi ishlar ancha yaxshidir.
manba: tami.uz. saytidan